P-канальный MOSFET транзистор ROHM RSS090P03 30V 9A 2W SO-8 SMD

Профессиональный силовой P-канальный полевой MOSFET транзистор RSS090P03 от ведущего японского производителя ROHM Semiconductor в стандартном корпусе SO-8 для поверхностного SMD монтажа

Высокоэффективный P-канальный полевой транзистор RSS090P03 разработанный компанией ROHM Semiconductor для использования в схемах управления питанием, коммутации нагрузки с высокой стороны, преобразователях напряжения DC-DC, защите от обратной полярности питание и силовых электронных ключах в современной цифровой электронике.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение пробой сток-выток 30 Вольт и длительный постоянный ток стока до 9 Ампер при температуре корпуса 25 градусов Цельсия. В кратковременном импульсном режиме устройство выдерживает ток стока до 36 Ампер. Предельное напряжение затвор-вытек составляет 20 Вольт. Благодаря низкому внутреннему сопротивлению, транзистор имеет сопротивление в открытом состоянии всего 0.014 Ом при напряжении управления затвора 10 Вольт и 0.021 Ом при напряжении затвора 4.5 Вольт, что минимизирует потери мощности на нагрев.

Полный заряд затвора устройства составляет 39 Нанокулон, что обеспечивает высокую скорость переключения ключа и снижает динамические потери. Транзистор выполнен в классическом восьмивыводном корпусе SO-8 для планарного SMD монтажа и рассчитан на рассеиваемую мощность до 2 Ватт при температуре 25 градусов Цельсия.

Технические характеристики для настройки фильтров:

• Производитель и бренд: ROHM Semiconductor

• Артикул детали: RSS090P03

• Структура и тип полупроводника: P-канальный MOSFET

• Полярность транзистора: P-Channel

• Способ монтажа на плату: SMD поверхностный монтаж

• Напряжение пробоя сток-вилка: 30 Вольт

• Максимально допустимое напряжение затвор-вытек: 20 Вольт

• Максимальный постоянный ток стока при 25 градусах Цельсия: 9 Ампер

• Максимальный импульсный ток стока: 36 Ампер

• Сопротивление сток-вилка в открытом состоянии при Vgs 10V: 0.014 Ом

• Сопротивление сток-вилка в открытом состоянии при Vgs 4.5V: 0.021 Ом

• Полный заряд затвора: 39 Нанокулон

• Максимальная рассеиваемая мощность при 25 градусах Цельсия: 2 Ватта

• Тип выполнения корпуса: SO-8 или SO8

• Количество выводов корпуса: 8 контактов

• Область применения: силовые ключи, конвертеры DC-DC, коммутация нагрузки

• Конструктивное исполнение: дискретный полупроводник

• Состояние изделия: новый

Ключевые преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала 0.014 Ом: Обеспечивает высокий КПД и минимальное выделение тепла при токах до 9 Ампер.

• Работа от логического уровня 4.5V: Позволяет управлять транзистором низковольтными сигналами с сопротивлением всего 0.021 Ом.

• Высокий импульсный ток до 36A: Гарантирует надежность устройства при пусковых токах и кратковременных перегрузках.

• Японская качество ROHM Semiconductor: Обеспечивает стабильность электрических параметров и высокую надежность в работе.

Комплект поставки:

• P-канальный MOSFET транзистор ROHM RSS090P03 SO-8 - 1 штука.

• Заводская антистатическая упаковка или лента — 1 штука.