IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Замена для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA,
100 ₴
- Готово к отправке
- Код: 3459
IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Замена для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA,Готово к отправке
100 ₴
+380 (66) 802-33-33
Менеджервозврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Замена для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA,
IGBT-транзистор для электронных устройств 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Замена для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120 )(40A,1200V) , TO247
Характеристики:
| Напряжение коллектор эмиттер (UCES), В | 1200 | |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 80 | |
| Максимально допустимый ток коллектора при 100°C (Ic(100°C)), А | 40 | |
| Максимальная мощность (Pмакс), Вт | 357 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UCE(on)), В | 2 | |
| Максимальный импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 | |
| Наличие диода | есть | |
| Максимальный импульсный ток диода (IFm), А | 160 | |
| Максимальный прямой ток диода (IF), А | 40 | |
| Маркировка | 40T120FES | |
| Время спада (tof), нс | 308 | |
| Время нарастания (ton), нс | 35 | |
| Полный заряд затвора, нКл | 341 | |
| Время восcтановления диода (trr), нс | 100 |
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | Без бренда |
| Состояние | Новое |
| Страна производитель | Китай |
Информация для заказа
- Цена: 100 ₴