Транзистор GP50B60PD1 (IRGP50B60PD1PBF) IGBT 600В 75А TO-247AC
100 ₴
- Готово до відправки
- Код: 3360
Транзистор GP50B60PD1 (IRGP50B60PD1PBF) IGBT 600В 75А TO-247ACГотово до відправки
100 ₴
+380 (66) 802-33-33
Менеджерповернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IRGP50B60PD1 — це високоефективний N-канальний IGBT транзистор із номінальними характеристиками 75А і 600 В, обладнаний вбудованим антипаралельним HEXFRED® діодом на 25 А. Цей транзистор належить до родини WARP2TM, яка спеціально розроблене для використання в застосунках із високочастотною комутацією до 150 кГц і потужністю до 12 кВт.
Основні характеристики:
- Тип: N-канальний IGBT транзистор
- Максимальний струм колектора (Iс): 75А
- Максимальна напруга колектор-емітер (Vce): 600В
- Корпус: TO247
- Вбудований діод: 25А HEXFRED®
- Напруга насичення (Vce(sat)): < 2В під час струму 33А
Застосування:
Транзистор IRGP50B60PD1 застосовується в потужних коректорах коефіцієнта потужності, джерелах безперебійного живлення, імпульсних промислових джерел живлення й інверторних зварювальних апаратах.
Транзистор IRGP50B60PD1 застосовується в потужних коректорах коефіцієнта потужності, джерелах безперебійного живлення, імпульсних промислових джерел живлення й інверторних зварювальних апаратах.
Завдяки своїм високим струмовим і тепловим характеристикам, цей транзистор ідеальний для AC-DC перетворювачів, які використовуються в серверних і телекомунікаційних джерелах живлення.
Переваги:
Висока ефективність: Низькі втрати під час вимкнення та мінімальний час спаду під час вимкнення забезпечують високу ефективність у застосунках.
Теплові характеристики: Завдяки малій товщині кристала та високій питомій щільності струму транзистор має покращені теплові характеристики.
Самовирівнювання струмів: Позитивний тепловий коефіцієнт опору каналу дає змогу транзисторів автоматично вирівнювати струми за паралельного з'єднання, що покращує їхню надійність і довговічність.
Висока ефективність: Низькі втрати під час вимкнення та мінімальний час спаду під час вимкнення забезпечують високу ефективність у застосунках.
Теплові характеристики: Завдяки малій товщині кристала та високій питомій щільності струму транзистор має покращені теплові характеристики.
Самовирівнювання струмів: Позитивний тепловий коефіцієнт опору каналу дає змогу транзисторів автоматично вирівнювати струми за паралельного з'єднання, що покращує їхню надійність і довговічність.
Приклади використання:
- Потужні імпульсні джерела живлення
- Інверторні системи зварювання
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Високоефективні AC-DC перетворювачі для серверів і телекомунікаційного обладнання
Цей транзистор ідеально підходить для застосування в пристроях, де потрібна висока надійність, низькі комутаційні втрати та чудові теплові характеристики, забезпечуючи водночас компактність і ефективність.
Характеристики
- Позначення на корпусі GP50B60PD1
- Тип каналу IGBT N-канальний
- Наявність вбудованого діода
- Максимальна напруга колектор-емітер 600 В
- Максимальний струм колектор-емітер за 25 °C, 75 А
- Імпульсний струм колектора 150 А
- Максимальна розсіювана потужність 390 Вт
- Напруга насичення колектор-емітер за +25 °C 2,35 В
- Заряду затвора 205 нКл
- Час увімкнення 30 нс
- Час вимкнення 130 нс
- Робоча температура -50... +150 ° C
- Тип корпусу TO247
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Без бренду |
| Країна виробник | Китай |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 100 ₴