Транзистор IRF640N MOSFET N-канальний 200В 18А TO-220

Транзистор IRF640N MOSFET N-канальний (200 В, 18 А, TO-220AB)

Потужний польовий транзистор з ізольованим затвором (MOSFET) N-канального типу, розроблений для застосування у високовольтних схемах із високою швидкістю перемикання. Модель вирізняється низьким опором у відкритому стані та високою термічною стабільністю.

Технічні характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET.

• Полярність: N-канал.

• Максимальна напруга сток-витік (Vds): 200 В.

• Максимальна напруга затвор-витік (Vgs): ±20 В.

• Безперервний струм стоку (Id): 18 А (при $T_c = 25$°C).

• Максимальна розсіювана потужність (Pd): 150 Вт.

• Опір сток-витік у відкритому стані (RDSon): 0.15 Ом.

• Порогова напруга затвора (VGSth): 2.0–4.0 В.

• Загальний заряд затвора (Qg): 67 нКл.

• Час наростання (tr): 19 нс.

• Вихідна ємність (Coss): 185 пФ.

• Максимальна температура переходу (Tj): 175 °C.

• Тип корпусу: TO-220AB.

Ключові переваги:

• Висока ефективність: Низький опір каналу мінімізує втрати енергії на тепловиділення під час проходження струму.

• Динамічні характеристики: Малий час перемикання дозволяє використовувати транзистор у високочастотних схемах.

• Надійність: Корпус TO-220 забезпечує зручне кріплення на радіатор для ефективного відведення тепла.

Сфери застосування:

• Імпульсні джерела живлення (SMPS).

• Драйвери керування двигунами постійного струму.

• DC-DC перетворювачі напруги.

• Силові ключі в системах автоматики та освітлення.

Рекомендації з монтажу:

При експлуатації в режимах, близьких до номінальних значень струму (18 А), використання радіатора є обов'язковим для запобігання перегріву та виходу компонента з ладу.