Транзистор IRF640N MOSFET N-канальный 200В 18А TO-220

Транзистор IRF640N MOSFET N-канальный (200 В, 18 А, TO-220AB)

Мощный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) N-канального типа, разработанный для применения в высоковольтных схемах с высокой скоростью переключения. Модель отличается низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой термической стабильностью.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET.

• Полярность: N-канал.

• Максимальное напряжение сток- утечки (Vds): 200 В.

• Максимальное напряжение затвор-вытек (Vgs): ±20 В.

• Непрерывный ток стока (Id): 18 А (при $T_c=25$°C).

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 Вт.

• Сопротивление сток-вилка в открытом состоянии (RDSon): 0.15 Ом.

• Порогова напруга затвора (VGSth): 2.0–4.0 В.

• Общий заряд затвора (Qg): 67 нКл.

• Время нарастания (tr): 19 нс.

• Выходная емкость (Coss): 185 пФ.

• Максимальная температура перехода (Tj): 175 °C.

• Тип корпуса: TO-220AB.

Ключевые преимущества:

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление канала минимизирует потери энергии на тепловыделение при прохождении тока.

• Динамичные характеристики: Маленькое время переключения позволяет использовать транзистор в высокочастотных схемах.

• Надежность: Корпус TO-220 обеспечивает удобное крепление на радиатор для эффективного отвода тепла.

Области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS).

• Драйверы управления двигателями постоянного тока.

• DC-DC преобразователи напряжения.

• Силовые ключи в системах автоматики и освещения.

Рекомендации по монтажу:

При эксплуатации в режимах, близких к номинальным значениям тока (18 А), использование радиатора является обязательным для предотвращения перегрева и выхода компонента из строя.