
Транзистор IGBT 40N60NPFD SGT40N60FD1P7 TO-3P Потужний igbt транзистор Силовий транзистор igbt
85 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Немає в наявності
- Код: 1882
+380 (66) 802-33-33
Менеджерповернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Транзистор IGBT 40N60NPFD SGT40N60FD1P7 TO-3P Потужний igbt транзистор Силовий транзистор igbt
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - це напівпровідниковий прилад, що поєднує в собі переваги біполярних транзисторів і польових транзисторів. Він використовується як потужний ключ у різних електронних пристроях, як-от інвертори, перетворювачі напруги, регульовані джерела живлення тощо.
Технічні параметри :
- Корпус - TO-247
- Структура - n-канал + діод
- Максимальна напруга стік-витік - 600 Вольт
- Максимальний струм при 25 oC - 80 Ампер
- Температурний діапазон - -55 ... +150 oC
- Максимальна розсіювана потужність - 290 Ватт

Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Без бренду |
| Країна виробник | Китай |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 85 ₴