Маркировка: 20N60S5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 79 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 1170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220
Завантажити Datasheet G30N60A4
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Без бренда |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Цвет корпуса | Черный |
- Цена: 100 ₴
